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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM900N06CW RPG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM900N06CW RPG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
TSM900N06 ~.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 118710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM900N06CW RPG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CW RPG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CW RPG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4.17W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Numero di prodotto di base TSM900  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG

Proprietà del prodotto TSM900N06CW RPG TSM850N06CX TSM900N10CP ROG TSM80N1R2CP
Modello di prodotti TSM900N06CW RPG TSM850N06CX TSM900N10CP ROG TSM80N1R2CP
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V 529 pF @ 30 V 1480 pF @ 50 V 685 pF @ 100 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-23 TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Numero di prodotto di base TSM900 TSM850 TSM900 TSM80
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 2.3A (Ta), 3A (Tc) 15A (Tc) 5.5A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 4.17W (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 50W (Tc) 110W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 800 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 6A, 10V 85mOhm @ 2.3A, 10V 90mOhm @ 5A, 10V 1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -

TSM900N06CW RPG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM900N06CW RPG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM900N06 ~.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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